DDR5是第五代双倍速率同步动态随机存储器。目前长鑫存储的DDR5颗粒最高速率突破8000Mbps，颗粒容量覆盖16Gb/24Gb，产品功耗较DDR4降低20%*。DDR5内存芯片加入片内错误检查与自纠错机制以及更强的抗干扰设计，确保工作稳定性与数据完整性。长鑫存储基于DDR5芯片推出多种形态的模组产品，满足服务器、高性能电脑、平板电脑等各应用需求，为数字时代新提供核心存储动力。 *基于DDR4的对比，其中功耗为内部测试数据

LPDDR5/5X 是第五代超低功耗双倍速率动态随机存储器。通过创新的封装技术和优化的内存设计，长鑫存储 LPDDR5X在容量、速率、功耗上都有显著提升，目前提供12Gb和16Gb两种单颗粒容量，最高速率达到10667Mbps ，达到国际主流水平，较上一代LPDDR5提升了66%，同时可以兼容LPDDR5，功耗则比LPDDR5降低了30%。* 满足移动旗舰手机更轻更薄的需求，以超强性能优化使用体验，助力设备突破性能瓶颈，开启移动智能新体验。 *基于LPDDR5的对比，其中功耗为内部测试数据

DDR4内存芯片是第四代双倍速率同步动态随机存储器。相较于上一代DDR3内存芯片，DDR4内存芯片拥有更快的数据传输速率、更稳定的性能和更低的功耗。长鑫自主研发的DDR4内存芯片能够满足市场需求，多种类型的DDR4模组灵活可选，适配各种行业，可支持办公、家庭、休闲娱乐、工业制造等广泛场景，为云服务、 物联网等多种设备和产品赋能，带给用户更加出众的使用体验。

LPDDR4X内存芯片是第四代超低功耗双倍速率同步动态随机存储器，采用了包括LVSTL 低功耗接口在内的多项降低功耗的产品设计。LPDDR4X内存芯片相较于第三代有更高的传输速率和更出色的功耗表现，是高性能、长续航移动设备的最佳选择。LPDDR4X内存芯片兼具大容量、高速度、高带宽和超低功耗的特点，不仅为智能手机、智能穿戴等移动设备提供更加稳定流畅的体验，还给高分辨率显示、虚拟现实、5G等技术的普及提供更多可能。